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|---|---|---|---|---|---|---|---|
FR2000045A1 | A1 | 19690829 | claim | claims | 1 | §9 (10054 5 2C00045 BEVMDICATIOHS -\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication, à partir d'aciers de construction au carbone et alliés, de tôles, de barres et de profilés présentant une forte épaisseur, une limite d'élasticité élevée et un rapport Re/Rm compris entre les limites de 0,80 à 0,95, et qui, après un laminage à chaud,... | 855 |
FR2000337A1 | A1 | 19690905 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1°/ Elément photoéléetrostatique comprenant un support de base conducteur revêtu d'une pellicule photoconduetrice orgsinique, élément caractérisé par ce que la pellioaLe contient une matière 5 photoconductrice présentant la fornrale générale : dication 1 » caractérisé par ce que les noyaux contiennent de... | 2,172 |
FR2000604A1 | A1 | 19690912 | claim | claims | 1 | 69 01160 12 2000604 aBVEUPIOAI-IOHS 1Un semi-conducteur comportant une rondelle réalisée dans un matériau de semi-conduction ayant deux surfaces opposées parallèles et au moins une jonction P.N., et des moyens destinés à maintenir la rondelle en place par pression, caractérisé en ce 5 que chacune des faces de la rondel... | 2,497 |
FR2000669A1 | A1 | 19690912 | claim | claims | 1 | 6901317 ,, 1} 2000669 RE-VENDICATIONS\n<CLM>\1\tDispositif de transfert de chaleur entre un fluide en et mouvement'un milieu, caractérisé en ce qu'il comprend une surface de séparation thermoconductrice agencée de façon à être interposée 0 ts entre ledit fluide et ledit milieu,/du coté du fluide de ladite 5 surface, un... | 6,744 |
FR2000900A1 | A1 | 19690919 | claim | claims | 1 | 69 01677 9 2000900 REVBiroiGATIONS Dispositif à semi-conducteurs caractérisé par le fait qu'il comprend : (a) une plaque ou sous-couche isolante comportant une surface principale, (b) plusieurs conducteurs de sortie disposés sur ladite surface principale de la sous-couche précitée et 5 s*étendant hors de cette surface ... | 4,276 |
FR2001094A1 | A1 | 19690926 | claim | claims | 1 | 69 01519 9 2001094 R E Y E Jf DIOATION SI\n<CLM>\1\tProcédé de formation d'un contact métallique sur un élément, ledit procédé comprenant une opération consistant à pulvériser par "bombardement une couche d'un premier métal sur 5 ledit élément et étant caractérisé par les opérations consistant à pulvériser par bombarde... | 4,280 |
FR2001195A1 | A1 | 19690926 | claim | claims | 1 | REYENDICÂI0NS\n<CLM>\1\télément à conductibilité asymétrique blindé, caractérisé en ce qu'il est placé en sandwich entre deux contacts montés sur des diaphragmes, la périphérie externe de chacun de ces diaphrag mes de montage étant fixée sur une partie correspondante d'un boiter annulaire en matière électriquement isol... | 2,293 |
FR2001197A1 | A1 | 19690926 | claim | claims | 1 | R E V E N D I C A T I 0 N Redresseur à double alternance comprenant en combinaison une série de plaques de phase en nombre égal au nombre de phases de l'alimentation à redresser , deux plaques formant bornes,et une série de diodes interconnectant les plaques formant bornes et les plaques de phase de sorte qutune sortie... | 804 |
FR2001344A1 | A1 | 19690926 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS lo Dispositif à semi-conducteurs comprenant : (a) un corps semi-conducteur qui comporte au moins une jonction p-n de manière à remplir une fonction prédéterminée, (b) une couche de 5 protection formée de manière à recouvrir la surface dudit corps semi-conducteur, ladite couche de protection comprenant un... | 2,070 |
FR2001524A1 | A1 | 19690926 | claim | claims | 1 | o902481 4 2001524 B E T E S D I CATIONS 1« Elément de construction semi-conducteur commandé constitué par un corps semi-conducteur en forme de pastille ou de disque, disposé entre une première et une seconde électrode de contact, avec une électrode de commande située dans le milieu de la première 5 électrode de contact... | 3,831 |
FR2001624A1 | A1 | 19690926 | claim | claims | 1 | R E V E N D I C A T I O N S\n<CLM>\1\tProcédé pour la fabrication d'éléments à conductibilité asymétrique, caractérisé en ce que l'on forme, dans une galette en matériau à conductibilité asymétrique présentant un type de conductibilité, afin qu'elles s'étendent vers l'intérieur de la galette à partir de l'une de ses fa... | 3,271 |
FR2001647A1 | A1 | 19690926 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1.Agencement de câblages électriques, caractérisé en ce qu'il comprend un support isolant, un conducteur métallique préformé disposé de façon à former un agencement de circuits dans ou sur ledit support, au moins un trou dans ledit support coupant au moins un conducteur de telle sorte qu'au moins une ext... | 6,211 |
FR2001970A1 | A1 | 19691003 | claim | claims | 1 | 69 3687 s _ 2001970 REVEHDICATIOHS 1 - Unité de oireait électrique comprenant plusieurs couches de conducteurs mutuellement isolés sur un substrat pour interconnecter plusieurs composants de circuit, caractérisée en ce que le substrat est une plaque de métal isolé à. conductibilité 5 électrique et thermique élevée, qui... | 1,479 |
FR2002168A1 | A1 | 19691017 | claim | claims | 1 | 69 03982 10 2002168 KEVEHDICATIOHS 1.- Appareil pour le traitement superficiel cLe verre char comportant un organe positionneur allongé contre lequel une m&sztr de matière fondue peut être maintenue par contact mouillant, cet--5 te masse étant, pendant utilisation de l'appareil, en contact avec une face du verre à trai... | 3,723 |
FR2002177A1 | A1 | 19691017 | claim | claims | 1 | 69 04050 s 2002177 BBEBBDICiMIQNB\n<CLM>\1\t— Structure semiconductrice comprenant un "bloc semiconducteur ayant au moins deux zones semiconductrices d'un premier type de conductibilité et du type opposé de conductibilité se terminant respectivement sur l'une des grandes faces du bloc 5 et délimitant entre elles au moi... | 4,015 |
FR2002179A1 | A1 | 19691017 | claim | claims | 1 | - REVENDICATIONS - 1 - Dispositif électronique du type dit à "l'état solide'1 pour détecter ou amplifier un faisceau de radiation dans la plage s'échelonnant de l'infrarouge à l'infrarouge lointain, ce disposi- 5 tif comprenant : (a) un élément MOS (métal-oxyde semi-conducteur) ayant la propriété de produire une couche... | 7,883 |
FR2002310A1 | A1 | 19691017 | claim | claims | 1 | REVENDIGATIONS\n<CLM>\1\t- Dispositif redresseur à semi-conducteurs, dans lequel le système redresseur est disposé dans un godet et se trouve protégé de façon supplémentaire contre les effets ambiants par une masse de scellement, dispositif caractérisé par le fait qutun godet extérieur renferme un godet intérieur 5, ob... | 2,132 |
FR2002396A1 | A1 | 19691017 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1° Composant semiconducteur, par exemple diode à cristal, thyristor ou transistor, pour fortes intensités de courant, dans lequel un système semiconducteur est monté sur un socle et un collecteur de courant est maintenu pressé contre la face du 5 système semiconducteur opposée au socle par un dispositif ... | 3,119 |
FR2002417A1 | A1 | 19691017 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1 - Elément de quartz, par exemple tubulaire, utilisé notamment dans la fabrication à température élevée de composants semi-conducteurs, tels que diodes, diodes à 5 quatre couches, transistors, circuits intégrés, etc., caractérisé en ce qu'il contient, au moins dans sa couche superficielle, en plus du Si... | 1,627 |
FR2002486A1 | A1 | 19691017 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un dispositif serai-conducteur dans lequel on dispose un getter dans un boîtier en forme de coupelle, on dispose dans tedit boîtier une pastille d'une matière semi-conductrice présentant au moins une 5 jonction PN, on fixe une face de ladite pastille sur le fond dudit b... | 2,631 |
FR2002487A1 | A1 | 19691017 | claim | claims | 1 | 69 04438 8 2002487 1°) Un circuit à état solide intégré monolithique ayant la forme d'un réseau à deux bornes comprenant une plaquette contenant les structures individuelles du circuit à état solide, et ne comportant que deux conducteurs d'entrée 5 d'électrode et dont le perfectionnement consiste en oe qu'un contact es... | 3,354 |
FR2002924A1 | A1 | 19691031 | claim | claims | 1 | 69 05377 6 2002924 EEVMDIO ATIONS 1o — Dispositif semiconducteur renfermant un bloc semiconducteur composé d'un substrat et d'au moims une couche épitaxiale sur ce substrat, caractérisé par le fait qu'au moins une zone de cette couche épitaxiale incorpore des particules de dimensions in-5 férieures au micron d'un matér... | 1,241 |
FR2002938A1 | A1 | 19691031 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1° - Dispositif redresseur pour alternateur d'éclairage de véhicules automobilesp caractérisé par des éléments redresseurs semi-conducteurs disposés sur des plaques-support, 5 agencées sous forme de tôle de refroidissement» et se composant respectivement d'une bande de tôle qui est pourvue à intervalles ... | 608 |
FR2002989A1 | A1 | 19691107 | claim | claims | 1 | 69 05016 5 2002989 REVE N PIC ATIONS 1 - Article moulé par compression, et en particulier une plaque, une pièce profilée, ou autre article analogue à base de polyuréthane, caractérisée en ce qu'3-1...,- est constitué es- 5 sentiellement de fragments de mousse souple de polyuréthane, comprimés et agglomérés, que son poi... | 2,154 |
FR2003051A1 | A1 | 19691107 | claim | claims | 1 | revendications 1.- Procédé de préparation de matières cellulaires de polyuréthanes à partir de polyesters, de polyisocyanates, d'agents d'allongement de chaîne, d'activateurs et de stabilisants 5 de mousse non ioniques, caractérisé en ce qu'on utilise comme stabilisants de mousse des composés de formule générale : e - ... | 1,542 |
FR2003087A1 | A1 | 19691107 | claim | claims | 1 | R E V E N D I C A T I O N S\n<CLM>\1\tDispositif pour le renvidage ae produits filicrimes sans Ln, venant d'outre filés ou coulés et/ou étirés, l'aide de têtes de bobinage à régulatIon de vitesse, disposées en plusieurs étages les unes en dessous des autres et aliment 2 en fl depuis le haut, avec des bras pivotants oui... | 1,554 |
FR2003278A1 | A1 | 19691107 | claim | claims | 1 | 69 06123 9 2003278 REVEND ICA! IOII 1°) Alternateur sans balais- ni eci-lecteur du type comportant vxi dispositif Redresseur incorporé et au moins un enroulement inducteur fixe ainsi qu'un enroulement 5 d'excitation également fixe, alternateur Caractérisé par ce qu*il comporte un carter en forme de pot, ouvert d'un côt... | 3,264 |
FR2003347A1 | A1 | 19691107 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\t- Thyristor de blocage commandé par son électrode de commande comprenant un oloc seri-coaductiur ayant une première zone de base d1un premier type de conductibilité se terminant sur la première grande face du bloc, une première zone d'émetteur du type opposé ou deuxième type de conductibilité p... | 3,489 |
FR2003761A1 | A1 | 19691114 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tUn emballage ou une monture pour un dispositif semiconducteur possédant plusieurs électrodes qui comprend: une embase isolante adaptée à supporter ce dispositif, cette embase com-5 portant une grande face ayant deux parties métalliques séparées pour connecter certaines électrodes du dispositif ... | 2,456 |
FR2003872A1 | A1 | 19691114 | claim | claims | 1 | R E V E N D I C A T I 0 N S R E V E N D I C A T I O 10- Un procédé pour former des contacts saillants sur une face d'uné structure micro-électronique, caractérisé par l'éta- blissement d'une première couche diélectrique sur la surface sélectionnée avec des ouvertures aux emplacements devant porter les contactes, la for... | 1,778 |
FR2003877A1 | A1 | 19691114 | claim | claims | 1 | REVENDICATION Broyeur à impact à rotor et tôles ou plaques d'impact fixées dans le carter du broyeur, utilisable notamment pour le broyage de pierres jusqu'à la finesse du sable, comportant une barre oscillan- te montée de manière réglable immédiatement sous la dernière plaque d'impact, cette barre étant équipée, dans ... | 1,146 |
FR2004192A1 | A1 | 19691121 | claim | claims | 1 | R E V E N D I C A T I O N S 1.- Dispositif semiconducteur comprenant un élément semiconducteur disposé entre au moins deux électrodes de bornes dont l'une au moins est maintenue en bon contact thermique et eliac- trique avec cet élément semiconducteur au moyen d'un dispositif exerçant une pression, dispositif caractéri... | 1,442 |
FR2004230A1 | A1 | 19691121 | claim | claims | 1 | 07785 14 2004230 1 « - Module d' empilage pour ensembles de dispositifs semiconducteurs à montage plat, caractérisé par le fait que la pile de dispositifs semiconducteurs à montage plat alternant avec des trappes t:iort-iiqaes, ost élasticuement maintenue en contact 5 électripue et thermique sous compression entre une ... | 6,345 |
FR2004346A1 | A1 | 19691121 | claim | claims | 1 | 69 08170 5 2004346 RSVSNDICM'I QNS 1» Procédé de production de chlorure de cyanogène en même temps que du chlorure de cyanuryle et du chlorure de cyanogène tétramère, caractérisé en ce qu'on fait réagir des quantités au 5 moins équimolaires de chlore sous pression avec de l'acide cyanhydrique en phase liquide à des tem... | 838 |
FR2004350A1 | A1 | 19691121 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1 - Un procédé pour la gravure sélective d'une couche ou film d'un premier métal résistant à la gravure caractérisé par le dépôt sur cette couche d'une seconde couche d'une matière pouvant 5 former avec le premier métal d'ion composé plus facile à graver, la suppression de zones de la seconde couche pour... | 2,126 |
FR2004508A1 | A1 | 19691128 | claim | claims | 1 | R E V E N D I C A T I O N S 1- Dispositif semi-conducteur du type comportant une paire de plaquettes de pression comprenant entre elles au moins un élément semi-conducteur de façon à exercer, sur ledit élément, une force engendrant une pression de contact et des moyens de connexion pour relier lesdites plaquettes l1une... | 2,312 |
FR2005160A1 | A1 | 19691205 | claim | claims | 1 | revendications\n<CLM>\1\tTube de quartz destiné notamment à la mise en oeuvre de procédés de production de composants semi-conducteurs et à supporter une température supérieure à 1 000°G, ledit tube 5 comportant extérieurement un revêtement et étant caractérisé en ce qu'au moins sa partie destinée à être exposée à une ... | 2,088 |
FR2005359A1 | A1 | 19691212 | claim | claims | 1 | 6909639 6 2005359 BEVENDICATIONS 1 - Dispositif semi-conducteur comportant un circuit à diodes, par exemple un circuit de Graetz, noyées dans une enveloppe en matière synthétique, le dispositif semi-conduc-5 teur étant muni de fils de connexion, conducteurs de 1'électricité, qui sont situés sensiblement dans un même pl... | 2,200 |
FR2005454A1 | A1 | 19691212 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1°) Un dispositif semi-conducteur comprenant : - un support diélectrique, - une couche vitreuse disposée sur ce support. - un matériau diélectrique le refroidissement enrobé dans cette couche vitreuse, 5 - un élément semi-conducteur disposé sur le matériau diélectrique assurant la dissipation de la chale... | 1,232 |
FR2005553A1 | A1 | 19691212 | claim | claims | 1 | revendications 2005553\n<CLM>\1\tProcédé pour le placage sans électricité d'un support, caractérisé en ce qu'on bombarde la surface du support avec des ions, préalablement au traitement de cette surface par une solution de placage sans électricité» 5 2, Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le support... | 1,877 |
FR2005564A1 | A1 | 19691212 | claim | claims | 1 | 69 10473 16 2005564 H S ¥ E M D I C A T 1 0 M S 1® Dispositif semiconducteur5 caractérisé en ce qu'il comprend une pastille semiconductrice d'un type de conduction déterminé, une première région formée sur une face du substrat et 5 d'un type de conduction opposé à celui du substrat, une seconde région formée dans la pr... | 4,908 |
FR2005577A1 | A1 | 19691212 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tUn dispositif semiconducteur comportant un élément commutateur, caractérisé en ce que cet élément comporte un domaine de type de conduction déterminé, domaine sur lequel sont dispo- 5 ses un premier contact de connexion ainsi qu'un émetteur pour engendrer à travers ce domaine un courant d'injec... | 11,313 |
FR2005959A1 | A1 | 19691219 | claim | claims | 1 | REUE ICATIONS le) Procédé pour le montage d'un élément semi-conducteur comportant sur l'une de ses faces principales une paire d'électrodes et sur son autre face principale une troisième électrodes ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il consiste a) à prendre un support électriquement conducteur auquel sont fixées ... | 2,471 |
FR2005999A1 | A1 | 19691219 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tUn dispositif semiconducteur qui comprend un élément de support conducteur de l'électricité et de la chaleur, une paroi s'étendant dudit élément de support et qui est reliée à celui-ci et un ensemble empilé incluant un élément semiconducteur, un 5 ensemble de contact et des ressorts, ledit ense... | 6,710 |
FR2006001A1 | A1 | 19691219 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1.- Dispositif semiconducteur comprenant un bloc d'un ma tériau semiconducteur ayant une zone d'un premier type de conductibilité placée entre deux zones du type opposé ou deuxième type de conductibilité délimitant entre elles des jonctions p-n et fournissant respectivement les zones de base, d'émetteur ... | 1,395 |
FR2006045A1 | A1 | 19691219 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1.- Un circuit intégré qui comprend un premier transistor et un second transistor ayant chacun une région d'émetteur, de base et de collecteur, la région d'émetteur du'premier transistor étant disposée 5 à l'intérieur de la région, de hase de celui-ci et près du bord de cette région de base- qui est le p... | 3,351 |
FR2006056A1 | A1 | 19691219 | claim | claims | 1 | 69 11075 8 2006056 - REVENDICATIONS -1°/ Dans un procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur comprenant les opérations de formation d'un support présentant un certain nombre de régions semiconductrices fonction-5 nelles constituant au moins un élément semiconducteur actif , l'une au moins de ces régions étant... | 3,228 |
FR2006210A1 | A1 | 19691219 | claim | claims | 1 | 69 11460 5 2006210 REYEIDICATIOHS 1 0 - Dispositif composé de plusieurs redresseurs a semiconducteur, de préférence pour des dispositifs redresseurs d'alternateurs de véhicules automobiles, avec^au moins, un premier sup-5 port servant d'électrode, sur lequel est disposée au moins une seconde électrode par l'intermédiai... | 3,204 |
FR2006538A1 | A1 | 19691226 | claim | claims | 1 | 69 12128 12 2006538 R_E_V_E_N_D_I_C_A_T_I_0_N_S 1°- Procédé d'application d'une composition de revêtement durcissable sur un substrat comportant un revêtement 5 superficiel adhérent de phosphure métallique dont le métal est choisi dans les groupes IB, IIB, IVB, VB, VIB, VIIB, et VIII de la Classification périodique des... | 1,586 |
FR2006708A1 | A1 | 19700102 | claim | claims | 1 | R E V E N D I C A T I O N S\n<CLM>\1\tDispositif semi-conducteur à contact redresseur formé sur un substrat en silicium, caractérisé par une couche de tungstène appliquée sur une partie d'une surface du substrat en silicium, cette couche de tungstène établissant le contact redresseur avec ladite surface.\n<CLM>\1\tDisp... | 1,842 |
FR2006931A1 | A1 | 19700102 | claim | claims | 1 | - REVENDICATIONS - 1.- Procédé de production d'un motif d'oxyde sur un corps semi-conducteur, en particulier en silicium, par formation d'un revêtement d'oxyde, masquage d'une partie de la surface et élimination par attaque chimique des parties non masquées du revêtement, caractérisé par le fait qu'on utilise pour le m... | 2,376 |
FR2007084A1 | A1 | 19700102 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tComposant électrique du type comportant de préférence des éléments intégrés et des bornes de connexion sorties, composant caractérisé par ce que les bornas de 5 connexion sorties sont montées aussi bien en bon contact électrique qu'en bon'contact thermique avec les éléments du coiaposant, oe qu... | 3,243 |
FR2007236A1 | A1 | 19700102 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1.- Un circuit intégré monolithique, propre à être alimenté par une source électrique d'une certaine polarité et comprenant un corps de matière semiconductrice ayant une région formant un élé- 5 ment de circuit isolé du substrat dudit corps par une diode à jonction p-n formée entre ledit élément de circu... | 2,991 |
FR2007369A1 | A1 | 19700109 | claim | claims | 1 | 69 10142 -14- 2007369 REVEHDIG AT1101?S\n<CLM>\1\tDispositif semi-conducteur comprenant un corps semi-conducteur à circuit, intégré, caractérisé en ce qu'un corps en matériau piézo-électrique est relié à au moins deux éléments différents du 5 circuit intégré, de façon que de l'énergie puisse être transmise à partir d'u... | 4,071 |
FR2007542A1 | A1 | 19700109 | claim | claims | 1 | 13186 2007542 4 HEVEiroi CATIOÎIS 1°) Prooédé pour fabriquer une zone située sur la surfaoe d'un corps semiconducteur qui,, par une surface de jonction du type HT, est séparée électriquement du corps semiconducteur restant, et qui contient au moin» un élément 5 semiconducteur d'un micro-circuit, prooédé caractérisé en ... | 1,193 |
FR2007906A1 | A1 | 19700116 | claim | claims | 1 | 14308 4 2007906 - REVENDICATIONS -\n<CLM>\1\tProcédé de montage de composant électronique sur un support plat, caractérisé en ce qu'il consiste essentiellement a ménager dans le support une cavité assez grande pour qu'on 5 puisse y enfiler au moins la partie du composant qui porte les bornes électriques, à placer le su... | 2,814 |
FR2007954A1 | A1 | 19700116 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1.- Procédé de formation d'un contact ohmique à couches métalliques multiples sur un substrat semiconducteur ayant déjà un pré-contact ohmique métallique 5 réalisé au cours d'étapes de métallurgie caractérisé en ce que le procédé de dépât comprend deux étapes: a) dépôt sous phase vapeur d'un matériau de ... | 2,369 |
FR2008003A1 | A1 | 19700116 | claim | claims | 1 | 69 14646 2008003 4 ~ PlEÏ3JÏÏDICATI0ET3 1°) Ilontage de circuit électrique caractérisé en ce qu'il comporte t - un substrat isolant présentant sur une surface principale deux séries parallèles séparées de conducteurs parallèles, imprimés, interrompus et continus pa- 5 rallèles ; - une pluralité de pastilles de circuits... | 2,314 |
FR2008141A1 | A1 | 19700116 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS . 1.- Dispositif serai-conducteur plat, caractérisé en ce qu'il comprend un élément semi-conducteur comportant au moins trois régions de conductibilités opposées et alternées, 5 scellé dans une enceinte comprenant un élément annulaire en matière électriquement isolante et des éléments d'extrémité en mati... | 3,014 |
FR2008219A1 | A1 | 19700116 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1» - Montage de thyristor en boîtier, caractérisé en ce que les connexions aux électrodes de la pastille semi-conductrice constituant thyristor se terminent par des contacts plans appli-5 cjués sur lesdites électrodes par des moyens élastiques» 2® - Montage de thyristor en boîtier, caractérisé en ce que ... | 3,289 |
FR2008236A1 | A1 | 19700116 | claim | claims | 1 | Revendications 1 - Dispositif de connexion électrique destiné à des dispositifs sémi-eonducteurs ou des circuits intégrés comportant une série d'éléments de circuits formés au voisinage d'une surface 5 d'un substrat et une couche isolante sur la surface comportant une série de trous mettant à découvert des parties de c... | 1,792 |
FR2008771A1 | A1 | 19700123 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1 - Dispositif semiconducteur comprenant une couche métallique assurant une connexion résistive à une partie de la surface du.dispositif semiconducteur, caractérisé en ce que la couche métallique se compose d'un mélange de tungstène et d'un 5 métal modifié ayant une résistance à la corrosion plus grande ... | 858 |
FR2008978A1 | A1 | 19700130 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1-Un procédé de dépôt d'un matériau semiconducteur sur un substrat en faisant passer un courant gazeux contenant le matériau semiconducteur sur le sûbstrat et en l'y solidifiant sous la for- 5 me d'un dépôt , caractérisé en ce qu'il consiste à mettre le courant gazeux contenant le matériau semiconducteur... | 2,498 |
FR2009054A1 | A1 | 19700130 | claim | claims | 1 | revendications Procédé de fabrication d'un dispositif à serai- conducteur (11) ayant une tension de rupture inverse voulue^ dans laquelle la jonction p=»n est formée dans le dispositif avec d es 5 impuretés sélectionnées (14)» en sorte que la jonction interaecte une surface du dispositif à s emi= conducteur., -caractér... | 2,299 |
FR2009170A1 | A1 | 19700130 | claim | claims | 1 | 16332 8 2009170 a S V S N D I CATIONS 1.. Transistor à effet de champ du type à électrode porte isolée, contenant un corp3 semiconducteur dont au moins une partie est d'un type de conduction, partie qui contient deux zones 5 superficielles diffusées juxtaposées constituant la source et le drain, alors que sur une surfa... | 2,639 |
FR2009343A1 | A1 | 19700130 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1°) Dispositif semi-conducteur comprenant un substrat semi-conducteur monocristallin présentant un certain type de conductivité, une couche sous-superficielle 5 située en dessous de la surface du substrat et de conductivité de type opposé,une couche déposée en phase-vapeur sur le dit substrat, la dite co... | 3,291 |
FR2009521A1 | A1 | 19700206 | claim | claims | 1 | 69 17437 14 2009521 REVENDICATI 0 N S\n<CLM>\1\tAppareil pour faciliter la fabrication des dispositifs, semiconducteurs, chaque, dispositif semiconducteur comportant une pastille .en semiconducteur montée sur un élément de montage, le montage étant eff.ectué en utilisant une bande de fils conducteurs devant être liés a... | 18,200 |
FR2009621A1 | A1 | 19700206 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS • Procédé photographique pour réaliser une configuration dispositions dans une couche photosensible dans lequel de-la lumière- provenant d'une source lumineuse tombe sur une plaque tournante percée d'ouver» tures, ce qui fournit des impulsions lumineuses qui tombent sur un masque muni d"une configuration... | 12,434 |
FR2009775A1 | A1 | 19700206 | claim | claims | 1 | 69 17875 2009775 BEVENDIGATIONS 1 - Elément microélectronique comprenant un substrat, un premier réseau de conducteurs électriques placés sur ce substrat, et un deuxième réseau de conducteurs électriques montés sur ce subs- 5 trat, ce deuxième réseau comportant aù moins un élément conducteur s'étendant librement sur de... | 2,562 |
FR2009776A1 | A1 | 19700206 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS.\n<CLM>\1\tDispositif semiconducteur à plusieurs bornes comprenant un support dissipateur de chaleur, un élément semiconducteur: placé sur le support dissipateur de chaleur en bon contact élec- 5 trique et thermique avec celui-ci, l'élément semiconducteur compr* nant une première et une deuxième régionss... | 2,496 |
FR2009792A1 | A1 | 19700206 | claim | claims | 1 | 69 17929 2009792 REVES PI CATIONS\n<CLM>\1\tUn procédé de fabrication de bandes et feuilles en acier inoxydable durcissable au chrome, caractérisé en ce que l'on utilise comme matériau de départ un matériau dont la structure est cons- 5 tituée d'au moins 80 fo de perlite lamellaire, ferrite et carbures, en ce que lron ... | 2,627 |
FR2009793A1 | A1 | 19700206 | claim | claims | 1 | 69 17930 8 2009793 R_E_T_E_|_D_I_C_A_T_I_Q_g_S\n<CLM>\1\tUn acier pour lames de scie ou analogue caractérisé en ce qu'il est formé par une bande d'acier contenant jusqu'à 20 fio de chrome, de 0,2 à î,5 fi> de carbone et une teneur maximale de 5 6 fi de composés d'alliage additionnels et qu'il peut présenter une matrice... | 4,008 |
FR2009798A1 | A1 | 19700206 | claim | claims | 1 | 69 17943 io 2009798 BEYBMBIOÀIIOSS 1.- Circuit intégré semiconducteur monolithique, destiné à être excité par une alimentation à polarité alternante et comprenant un corps en une substance semiconductrice dont les régions qui constituent des éléments du circuit sont isolés de la partie 5 support du corps par des diodes... | 3,617 |
FR2009914A1 | A1 | 19700213 | claim | claims | 1 | 69 1618.0 U 200.9914 ÎO 15 20 RSVBKDICATIONSî\n<CLM>\1\tMspositif setnicûnàucteur comportant au moins deux éléments semiconducteurs bistables couplés électriquement et contenant chacun on domaine ^semiconducteur - domaine d'accumulation - dans lequel se produit une accumulation de po-rteurs de charge minoritaires pour ... | 7,857 |
FR2010439A1 | A1 | 19700213 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1°/ Procédé pour graver , par attaque chimique et de fajon géométriquement limitée, une plaque semi-conductrice comportant une couche d'oxyde, du type dans lequel on enduit la plaque 5 semi-conductrice d'une laque photographique, on l^expose à la lumière à travers une plaque photographique, on la dévelop... | 1,586 |
FR2011063A1 | A1 | 19700227 | claim | claims | 1 | 69 19922 9 2011063 • fflVBffDICÀTIOHS 1.- Un circuit intégré caractérisé par le fait qu'il comprend un substrat comportant des régions en matériau semiconducteur qui forment un nombre prédéterminé d'éléments semiconducteurs, un moyen 5 fournissant des interconnexions électriques actives entre un nombre choisi d'élément... | 2,909 |
FR2011079A1 | A1 | 19700227 | claim | claims | 1 | 69 19976 13 2011079 RCTEKDIOAIIOIIB 1 - Dispositif semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend un substrat semi-conducteur ayant un nombre nécessaire de composants de circuit, des parties conductrices adhérant à la 5 surface du substrat et une partie isolante entourant ces parties conductrices, une des parties ét... | 1,314 |
FR2011292A1 | A1 | 19700227 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un produit intermédiaire pour circuits intégrés, suivant lequel on produit une couche de silicium polycristalline par dépôt de silicium sur ion support, ensem- 5 ble avec de minimes quantités d'impuretés qui influencent la structure cristalline du silicium déposé, carac... | 1,559 |
FR2011354A1 | A1 | 19700227 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1-Générateur rechargeable d'hydrogène caractérisé en ce qu'il comprend un récipient, une masse d'hydrure métallique contenue dans ce récipient et ayant un rapport en poids hydrogène utile/hydrure d'environ 1:15, des moyens pour chauffer au moins une partie de l'hydrure à une température de déconposition ... | 4,175 |
FR2011513A1 | A1 | 19700306 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur comprenant les opérations suivantes : réalisation d'un substrat comportant plusieurs réglons de matière semi-conductrice formant 5 un certain nombre d'éléments semi-conducteurs, chaque élément ayant au moins une région de contact adjacent à... | 2,660 |
FR2011590A1 | A1 | 19700306 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé pour former une couche métallique sur un substrat par production de vapeurgfaétalliques et condensation desdites vapeurs métalliques sur ledit substrat, caractérisé en ce qu'il 5 consiste à déposer à une vitesse suffisamment rapide une couche de métal d'épaisseur suffisante pour ensemen... | 1,997 |
FR2011612A1 | A1 | 19700306 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1-cProcédé de fabrication d'un dispositif à circuits intégrés du! type ayant un grand nombre de circuits fonctionnels comprenant chacun une série de composants électroniques comportant 5 une couche Isolante, des ouvertures étant ménagées dans les couches Isolantes pour établir le contact avec les composa... | 2,976 |
FR2011844A1 | A1 | 19700313 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1-Dispositif semiconducteur dans lequel des contacts et/ou des couches métalliques conductrices sont mis en contact avec la surface du dispositif semiconducteur où sont formés sur un matériau Isolant disposé à la surface, caractérisé en ce que des contacts connectés ohmiquement à la surface semiconductri... | 1,001 |
FR2011945A1 | A1 | 19700313 | claim | claims | 1 | 69 19*77 6 2011945 HEYENDICATIOffS 1 - Dispositif à jonction P-N, caractérisé en ce qu'il comprend une base ayant un type de matière semi-conductrice et une couche mince ayant un autre type de matière semi-conductrice, une 5 matière d'impureté, déterminant le type de semi-conductibilité de la couche mince, ayant une co... | 1,583 |
FR2011964A1 | A1 | 19700313 | claim | claims | 1 | 69 20310 10 2011964 R;:Vëiî5I CATIONS;\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur dans lequel un corps semiconducteur est dopé localement par diffusion alors qu'au cours du procédé de diffusion une couche de matière de masquage contenant 5 une impureté est appliquée sur une partie de la surface du ... | 2,332 |
FR2011965A1 | A1 | 19700313 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1 - Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs ayant des doubles couches de diffusion,dans lequel au moins deux impuretés sont simultanément diffusées dans la surface d'un substrat semi-conducteur à partir d'une source d'impuretés composées 5 chauffée, caractérisé en ce que la source d'impure... | 2,032 |
FR2012003A1 | A1 | 19700313 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1.- Procédé pour revêtir une surface semiconductrice limitée caractérisé en ce qu'elle comprend les étapes d'appliquer une substance de revêtement sur une partie de cette surface et de distribuer cette substance par une diffusion de surface. 2.- Procédé suivant la revendication 1 caractérisé en ce qu'on ... | 769 |
FR2012004A1 | A1 | 19700313 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1.- Procédé pour fabriquer un dispositif semiconducteur en particulier un transistor à effet de champ avec contact à jonction ou à barrière de Schottky du type planaire, caractérisé en ce que toutes les ouvertures nécessaires pour 5 la production des électrodes dans la couche isolante couvrant le corps s... | 6,299 |
FR2012010A1 | A1 | 19700313 | claim | claims | 1 | 69 21816 8 2012010 HEVSHBICATIONS Î\n<CLM>\1\tDispositif semiconducteur notamment pour un circuit de "bas cule et comportant un corps semiconducteur plan limité par deux faces principales pratiquement parallèles munies de contacts de connexion entre les— 5 quelles s'étendent successivement un premier domaine d'un premi... | 3,458 |
FR2012133A1 | A1 | 19700313 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1.- Procédé de liaison d'un matériau photorésistant à une surface d'oxyde caractérisé en ce qu'il comprend l'application dudit matériau photorésistant à ladite surface d'oxyde avec un adhésif contenant de l'hexa-alkyldisilazane. 5 2.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qua le dit substra... | 2,583 |
FR2012333A1 | A1 | 19700320 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1.- Dispositf de connexion électrique comprenant: - un substrat semiconducteur ayant une première et une seconde surfaces, ledit substrat comprenant d'une part une première région non diffusée, d'un 5 premier type de conductivité déterminé, et située entre les dites surfaces et d'autre part au moins une ... | 5,633 |
FR2012369A1 | A1 | 19700320 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 10 15 20 25 30\n<CLM>\1\tAppareil pour engendrer un signal présentant des variations suivant l'intensité lumineuse qui comprend des amplificateurs et au moins un dispositif sensible à la lumière, caractérisé en ce qu'il comprend deux amplificateurs interconnectés suivant un montage de multivibrateur, les... | 5,301 |
FR2012418A1 | A1 | 19700320 | claim | claims | 1 | 69 22884 n 2012418 HEVEmUOATIONB\n<CLM>\1\tDétecteur de rayonnement électromagnétique à sélectivité élevée, comprenant un cristal semiconducteur de type de conductivité prédéterminée et une pellicule métallique appliquée sur l'une des faces du cristal pour constituer une interface "brusque avec celui-ci, 5 cette pellic... | 2,421 |
FR2012968A1 | A1 | 19700327 | claim | claims | 1 | 69 23588 * 2012968 HTiimcmon lo Redresseur à semiconducteurs dans lequel une pile de pastilles redresseuses et de tôles de contact munies de cosses» surmontée d'un ressort à lame pour obtenir la pres-5 sion de contact» est disposée à l'intérieur d'un godet, ouvert d'ua côté et scellée par surmoulage, caractérisé par le... | 1,027 |
FR2013126A1 | A1 | 19700327 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1- Procédé de fabrication d'tm dispositif de circuit intégré à semi-conducteur comportant au moisis «n transistor , et présentant les phases suivantes : création d'une région au moins comportant un premier type de conductivité dans une surface d'un corps s emi - c ondu3— teur présentant un second type de... | 4,417 |
FR2013216A1 | A1 | 19700327 | claim | claims | 1 | 13143 14 2013216 REVJiNDIGATIOîrS\n<CLM>\1\tAppareil de représentation numérique comprenant un circuit rotorique, des moyens pour mettre ce circuit rotorique en oscillation en lui appliquant deux signaux électriques analogiques représentant respectivement, en grandeur et en signe, le sinus et le cosinus d'un angle, de ... | 5,293 |
FR2013735A1 | A1 | 19700410 | claim | claims | 1 | 22468 15 EEYjîIDICATIOI 3 2013735 1 — Elément semi-conducteur comprenant un corps limité par des surfaces principales, caractérisé en ce que des régions de connexion qui traversent ledit corps et se terminent sur lesdites surfaces sont remplies d'une matière semi-conductrice à conductivité relativement élevée et sont i... | 2,876 |
FR2014142A1 | A1 | 19700417 | claim | claims | 1 | 69 17522 -8- 2014142 - 5HEMDIGAÏIONS ~ 1 - Procédé de fabrication de composants semi-conducteurs qui consiste à préparer line plaquette unitaire compor-5 tant un certain nombre de dispositifs semi-conducteurs, à former des rainures dans cette plaquette afin de définir des plans de rupture affaiblis entre les dispositif... | 4,317 |
FR2014180A1 | A1 | 19700417 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tEnsemble de redressement gui comprend tin réceptacle tubulaire, un certain nombre de diodes de redressement montées dans ce réceptacle et une matière diélectrique entourant lesdites diodes, caractérisé par le fait que les diodes sont montées élec— 5 triquement en série et sont disposées de faço... | 1,965 |
FR2014202A1 | A1 | 19700417 | claim | claims | 1 | REVENDICATIONS 1 - Ensemble renfermant un dispositif s emi-conducteur, comprenant un support rigide, une série de conducteurs électriques isolés montés sur ce support et au moins un fragment de s emi-conducteur distinct dans lequel est 5 formé au moins un élément s emi-conducteur et présentant des plots de contact méta... | 5,667 |
Subsets and Splits
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